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常压烧结碳化硅的物质结构和特性

常压烧结碳化硅的物质结构和特性

  • 分类:行业资讯
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  • 来源:
  • 发布时间:2022-01-19
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【概要描述】现代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,常压烧结碳化硅是广泛、经济的,可以说是金刚砂或耐火砂。纯碳化硅是无色透明晶体。那么碳化硅的物质结构和特性是什么?下面给大家介绍一下常压烧结碳化硅!

常压烧结碳化硅的物质结构和特性

【概要描述】现代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,常压烧结碳化硅是广泛、经济的,可以说是金刚砂或耐火砂。纯碳化硅是无色透明晶体。那么碳化硅的物质结构和特性是什么?下面给大家介绍一下常压烧结碳化硅!

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  现代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,常压烧结碳化硅是广泛、经济的,可以说是金刚砂或耐火砂。纯碳化硅是无色透明晶体。那么碳化硅的物质结构和特性是什么?下面给大家介绍一下常压烧结碳化硅!

  

常压烧结碳化硅


  常压烧结碳化硅的物质结构:

  工业用的常压烧结碳化硅根据杂质的种类和含量呈浅黄色、绿色、蓝色、黑色,纯度不同,透明度也不同。碳化硅晶体结构分为六字或菱形的钚和立方的钚-SIC。钚-SIC由于晶体结构中的碳和硅原子的堆积顺序不同,形成了多种变形,发现了70多种。beta-SIC在2100以上转换为alpha-SIC。碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内精炼。精制的碳化硅块经过粉碎、酸碱清洗、磁选、筛分或水选择,制成多种粒度的产品。

  常压烧结碳化硅的物质特性:

  碳化硅具有良好的化学性能稳定性、热导率、热膨胀系数、耐磨性,因此除了磨料用途外,还有:等多种用途。例如,将碳化硅粉末用特殊工艺涂在涡轮叶轮或气缸块的内壁上,可以提高耐磨性,延长寿命1~2倍。由耐热、体积小、重量轻、强度高的高级耐火材料制成,能效很好。低品级碳化硅(包括约85%的SiC)是提高炼钢速度、轻松控制化学成分以提高钢质量的优秀脱氧剂。此外,常压烧结碳化硅还大量用于制造电器零部件硅碳棒。

  碳化硅的硬度很大。莫尔斯硬度为9.5级,仅次于世界上坚硬的金刚石(10级),是具有优良导热性能的半导体,可以在高温下抗氧化。碳化硅至少有70种结晶类型。钚-碳化硅是常见的同质异构物,在2000以上的高温下形成,具有六边形晶型晶体结构(类似于纤维锌矿)。常压烧结碳化硅

  碳化硅在半导体工业中的应用

  碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉末、单晶基板、外延片、电力部件、模块封装和终端应用。

  1.单晶基板单晶基板是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基板。目前,SiC单晶生长方法有物理气相转移法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)等。常压烧结碳化硅

  2.外延片碳化硅外延片,碳化硅片,与对碳化硅基板有一定要求的基板晶体方向相同的单晶薄膜(外延层)。在实际应用中,宽禁带半导体器件几乎都是在外延层制造的,硅硅芯片本身只用作衬底,包括GaN外延层的衬底。

  3.高纯碳化硅粉末碳化硅高纯粉末是使用PVT方法生长碳化硅单晶的原料,产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量和电学特性。

  4.电力装置是用碳化硅材料制成的宽波段电力,具有高温、高频、高效的特性。根据器件工作形式,SiC电源装置主要包括功率二极管和功率开关管。

  5.终端在第三代半导体应用中,碳化硅半导体的优点是可以与氮化镓半导体互补。由于SiC器件的高转换效率、低发热特性、轻量化等优点,下游行业的需求持续增加,有取代SiO2器件的趋势。


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